BW-H3TRB-C16

半导体高温高湿反偏实验系统

            ■每通道为 48 工位，48 工位中每个工位可进行 Tj 测试

            ■适用于各种封装类型的二极管、三极管、SCR、MOSFET（支持耗尽型）、IGBT 单管、IGBT 模块、IPM 模块、桥堆等进行高温高湿反偏试验

            ■试验线路及试验方法满足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相关标准要求

            ■80 颗/每通道×16 通道＝1280 颗(满载实验数量)

            ■系统平均无问题运行时间≥10000 小时

技术特点 Technical characteristics

 ■实时监测每个器件的反偏电压、漏电流；

 ■Max电压可达6000V;;

 ■对于模块上下桥可同时加电同时监测漏电；

 ■整个试验过程的数据(漏电流、反偏电压、温度、湿度) 记录并存储。并输出为Excel  报表和绘制全过程漏电流IR 曲线

 ■设定漏电上限可快速切断该回路电压；

 ■可根据用户的需求，定制各种老化板及测试程序。