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IGBT直流参数测试仪STD2002
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陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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测试对象：IGBT、Mosfet、Diode
测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据
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陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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IGBT直流参数测试仪STD2002
IGBT测试
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IGBT测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
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栅极-发射极栅 极绝缘 |
Vges:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V |
Iges: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA 精度:±3%?±0.1μA |
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截止电流 |
Vces:?100-2000V,分辨力,1 V 精度:±3%?±10V |
Ices:?100μA-1000μA,分辨力,10μA 1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA 精度:±3%?±10μA |
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阈值电压 |
Ice：?1-10mA， 分辨力，?1mA （可根据客户需求扩展） |
Vge(th):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V |
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饱和压降 |
Ice: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1A |
Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V 精度:±3%?±0.10V |
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二极管压降 |
If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1 A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3%?±0.10V |
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二极管反向电流 |
Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V |
Id:?100μA-1000μA,分辨力,10μA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10μA |
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陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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IGBT直流参数测试仪STD2002
MOSFET测试
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MOSFET测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
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栅极-源极绝缘 |
Vgss:?1.0-20.0V ,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V |
Igss: 0.1-20.0μA,分辨力,0.1μA 精度:±3%?±0.1μA |
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漏极-源极截止电流 |
Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V |
Idss:100μA-1000μA,分辨力,10μA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10μA |
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栅极-源极阈值电压 |
Ids：?1-10mA， 分辨力，?1mA |
Vgs(to):?1.0-10.0V,分辨力,0.1V 精度:±3%?±0.1V |
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漏极-源极导通电阻 |
Ids:20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1A |
Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR |
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二极管压降 |
If: 20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1 A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3%?±0.10V |
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二极管反向电流 |
Vdss:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V |
Idss:100μA-1000μA,分辨力,10μA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10μA |
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陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
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IGBT直流参数测试仪STD2002
DIODE测试
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DIODE测试项目 |
测试条件 |
测试结果 |
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二极管压降 |
If:20-200A,分辨力,1A 精度:±3%?±1A |
Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V 精度:±3%?±0.10V |
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二极管反向电流 |
Vd:100-2000V,分辨力,1V 精度:±3%?±10V |
Id:100μA-1000μA,分辨力,10μA 1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA 精度:±3%?±10μA |
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IGBT直流参数测试仪STD2002
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