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FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 70μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：163pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：超级结
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 1A，10V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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