100%原装正品IPSA70R950CE和IPS60R1K5CE

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【规格】

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：328pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO251-3

封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

IPA60R800CE

IPD50R950CE

IPSA70R600CE

IPS70R1K4CE

IPA50R650CE

IPU60R1K0CE

IPU80R1K0CE

IPU50R950CE

IPS70R950CE

IPS65R1K5CE

IPN50R3K0CE

IPD70R2K0CE

IPU50R2K0CE

IPS60R2K1CE

IPS60R1K0CE

IPS70R2K0CE

IPSA70R950CE

IPS60R1K5CE

IPS60R3K4CE

IPU50R3K0CE

IPS65R650CE

IPSA70R2K0CE

IPU60R3K4CE

IPD60R3K4CE