销售IPU60R3K4CE和IPD60R3K4CE同系列MOS管

【产品信息】

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：93pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：29W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.4 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

【联系方式】
深圳市明佳达电子有限公司
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