华羿微电子股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2017年6月28日，注册资金4.15亿元，是华天电子集团旗下专业从事半导体功率器件研发设计、封测和销售的高新技术企业。公司位于西安经开区尚稷路8928号，占地面积200.8亩，员工2600余人。
公司通过自主创新、技术积累和市场拓展，现形成了以领先晶圆研发设计和一流封测工艺为核心竞争力的业务体系。自研产品以20V—150V的中低压MOSFET为主，分为抗冲击能力突出的Trench（沟槽型）MOSFET和具备高频、高动态特性的SGT MOSFET（低屏蔽栅沟槽型）两大系列，已量产的产品达到400余种，广泛应用于电动车、汽车电子、5G基站、电动工具、储能、消费电子等领域，特别是在电机驱动、电池储能领域拥有较高的市场占有率;封测产品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等11大系列，共计约60余种封装外形，产品覆盖各功率段的二极管、三极管、MOSFET、超结MOSFET、IGBT等分立器件和模块。

SGT和Trench MOS差异：

Trench工艺：内阻较大，动态参数Ciss/Qgd较差，且二者呈现负相关特性。若想获得低内阻的产品，需增大芯片面积或减薄芯片厚度，随之会导致Ciss/Qgd急剧增大，同时增大产品成本。

SGT工艺：相同芯片面积下，对比Trench ?MOS有较小的导通内阻与动态参数Ciss/Qgd。故在同一8寸/6寸晶圆下， SGT有着较高产能，随之成本较低。但由于目前受生产工艺等多方面因素制约，其价格优势不太明显。 此外，相同或近似电压、内阻规格产品下， Trench MOS抗冲击性能会远优于SGT ?MOS，具体体现为SOA区域较大。故在存在电流、电压冲击的应用中，若不同时要求内阻及动态参数，可优先选择Trench ?MOS。
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打线Cu-Clip 对于MOS性能影响：

得益于更高的源极键合面积和键合线数量，产品具有更好的电流均匀性，在相同的温升下，TO-263-6L具有更好的温度均匀性和更低的热点效应。

若如TO-263-6L的模式，将源极键合打线无穷多，最终演化为芯片源极S极表面铝线/铜线替换为铜片，直接压焊精密贴合于芯片，获得更小的封装接触电阻及电流密度，使得MOS具有更小的导通内阻，更大的抗冲击性能及温度均匀性。

TOLL是一种高效节省空间的封装，具有极低的寄生电阻和强大的热性能，非常适合于高电流和高压应用。它符合现有的JEDEC封装外形，比Amkor目前提供的D2PAK (TO263)封装小30，薄50。TOLL封装引线设计有润湿性侧翼，使其非常适合汽车市场。TOLL一直是整合元件制造商在汽车电子应用中的首选技术。

低内阻：Ron 大电流：ID>300A 高抗冲击：IDM、SOA 低封装寄生效应：封装电容、电感 更小的PCB占据，更高能量密度

应用领域： ? ?储能电源、汽车电子、大功率无人机、电动工具

TOLL产品特点：小管脚, 低剖面 超大通流能力 超小的寄生电感大的焊接面积

高效率和低系统成本 更少的并联数量和冷却需求 高功率密度 优秀的EMI性能 高可靠性

HYG017N10NS1TA主要针对BMS、储能等市场，针对保量市场进行价格PK，两颗料主要与NCEP020N10/PWD015N10等型号参数类似，综合性能测试反馈比较好。 HYG016N10NS1TA主要针对高端客户市场进行推荐，综合成本会稍高； 实测数据Typ值分别为1.3和1.35mΩ
?王 宇??Betson
?深圳市万国高科电子有限公司
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