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海飞乐乐技术有限公司，销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。HFME60N100可替换DSEI2x61-10B。关于更多快恢复二极管的相关信息请登录我司网站www.highfel.com 或者电话咨询：朱先生 13632957632
电力电子技术的主要任务是利用功半导体器件来实现电能的高效率传输、转换及其过程中的有效精确控制，实现对电能的优质、高效的利用，这对解决能源危机、改善环境和实现可持续发展有着承大的意义，而半导体器件作为电力电子电路的核心器件，广泛的应用在工业、民用、军事、航空和航天领域。电力电子技术的发展也就是电力电子半导体器件不断推陈出新的过程，历史上的每一代新型半导体器件的出现，总会带来一场电力电子技术的革除。
在低压领域，肖特基极管以及MPS整流管具有高开关速度和低通态压降，是首选器件。在高压领域，因为肖特基极管以及MPS整流管的反向击穿电压低且高温下的反向漏电流较大，不能应用于此领域，而具有PiN结构的快恢复二极管以高耐压和高开关速度成为高压领域应用的首选器件，是本文研究的重点。
快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系，主要是正向导通特性、反向恢复特性，及反向击穿特性等之间各参数的矛盾；主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流，我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值，在取得一项或几项参数优化的同时，不过多牺牲其它参数，实现器件综合性能在一定方向上的优化。
应用
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
特征
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术
原装IXYS快恢复二极管DSEI2x61-10B库存现货参数资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
产品种类: 整流器
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
Vr - 反向电压 : 1000 V
If - 正向电流: 60 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向电压: 2.3 V
最大浪涌电流: 500 A
Ir - 反向电流 : 3 mA
恢复时间: 35 ns
系列: DSEI2X61-10
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 12.22 mm
长度: 25.42 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
端接类型: Solder Pad
宽度: 38.20 mm
单位重量: 38 g
快恢复FRD开关模块主要功效
1）用超快恢复二极管FRD替代普通整流二极管后，由于FRD的反向恢复时间trr（纳秒级）比普通整流二极管的trr（微秒级）短得多，且同容量的FRED管的反向峰值电流IRM只有普通整流二极管的一半到四分之一，良好的关断特性，因而使变频器的噪音电平（EMI）降低15分贝（db）以上，从而缩小变频装置EMI滤波器内电抗器和电容器尺寸，缩小装置体积，降低装置成本，减少装置对电网的污染，使装置更符合EMI标准的要求，达到绿色装置的目的。
2）用晶闸管替代机械接触器，实现了功率半导体无触点动力开关的目的，避免了因接触器带电弧开关和潮湿或带粉尘环境的影响使触头经常损坏的现象，而半导体无触点开关的寿命几乎是无限的，从而使变频装置的可靠性和工作稳定性大大提高，延长了装置的使用寿命，并使装置体积大大缩小。
3）用混合集成技术把FRED三相整流桥和SCR半导体动力开关混合集成为一个模块，非但缩短和减少它们之间的连线，而且大大缩小了体积，这特别有利于对空间要求十分严格、可靠要求很高的军事、航空、航天领域以及潜艇等特殊应用领域。同时，因混合集成模块铜底板与各电极之间有大于2.5KVRMS的绝缘耐压，因此可以把变频器的各种模块（如IGBT、功率MOSFET）共同安装在接地的同一散热器上，大大简化了结构设计和布线安排，达到节能、节材、缩小装置体积、简化结构设计、提高装置模块化程度、便于维修和安装。
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
电力电子技术的主要任务是利用功半导体器件来实现电能的高效率传输、转换及其过程中的有效精确控制，实现对电能的优质、高效的利用，这对解决能源危机、改善环境和实现可持续发展有着承大的意义，而半导体器件作为电力电子电路的核心器件，广泛的应用在工业、民用、军事、航空和航天领域。电力电子技术的发展也就是电力电子半导体器件不断推陈出新的过程，历史上的每一代新型半导体器件的出现，总会带来一场电力电子技术的革除。
在低压领域，肖特基极管以及MPS整流管具有高开关速度和低通态压降，是首选器件。在高压领域，因为肖特基极管以及MPS整流管的反向击穿电压低且高温下的反向漏电流较大，不能应用于此领域，而具有PiN结构的快恢复二极管以高耐压和高开关速度成为高压领域应用的首选器件，是本文研究的重点。
快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系，主要是正向导通特性、反向恢复特性，及反向击穿特性等之间各参数的矛盾；主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流，我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值，在取得一项或几项参数优化的同时，不过多牺牲其它参数，实现器件综合性能在一定方向上的优化。
应用
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。
特征
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术
原装IXYS快恢复二极管DSEI2x61-10B库存现货参数资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
产品种类: 整流器
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
Vr - 反向电压 : 1000 V
If - 正向电流: 60 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向电压: 2.3 V
最大浪涌电流: 500 A
Ir - 反向电流 : 3 mA
恢复时间: 35 ns
系列: DSEI2X61-10
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 12.22 mm
长度: 25.42 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
端接类型: Solder Pad
宽度: 38.20 mm
单位重量: 38 g
快恢复FRD开关模块主要功效
1）用超快恢复二极管FRD替代普通整流二极管后，由于FRD的反向恢复时间trr（纳秒级）比普通整流二极管的trr（微秒级）短得多，且同容量的FRED管的反向峰值电流IRM只有普通整流二极管的一半到四分之一，良好的关断特性，因而使变频器的噪音电平（EMI）降低15分贝（db）以上，从而缩小变频装置EMI滤波器内电抗器和电容器尺寸，缩小装置体积，降低装置成本，减少装置对电网的污染，使装置更符合EMI标准的要求，达到绿色装置的目的。
2）用晶闸管替代机械接触器，实现了功率半导体无触点动力开关的目的，避免了因接触器带电弧开关和潮湿或带粉尘环境的影响使触头经常损坏的现象，而半导体无触点开关的寿命几乎是无限的，从而使变频装置的可靠性和工作稳定性大大提高，延长了装置的使用寿命，并使装置体积大大缩小。
3）用混合集成技术把FRED三相整流桥和SCR半导体动力开关混合集成为一个模块，非但缩短和减少它们之间的连线，而且大大缩小了体积，这特别有利于对空间要求十分严格、可靠要求很高的军事、航空、航天领域以及潜艇等特殊应用领域。同时，因混合集成模块铜底板与各电极之间有大于2.5KVRMS的绝缘耐压，因此可以把变频器的各种模块（如IGBT、功率MOSFET）共同安装在接地的同一散热器上，大大简化了结构设计和布线安排，达到节能、节材、缩小装置体积、简化结构设计、提高装置模块化程度、便于维修和安装。
注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
