海飞乐乐技术有限公司,销售各种封装、型号、参数快恢复二极管、肖特基二极管、MOS管。HFME30N30可完美替换DSEP2x31-03A。关于更多快恢复二极管的相关信息请登录我司网站
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快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系,主要是正向导通特性、反向恢复特性,及反向击穿特性等之间各参数的矛盾;主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流,我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值,在取得一项或几项参数优化的同时,不过多牺牲其它参数,实现器件综合性能在一定方向上的优化。
PIN二极管的P区和N区有很高的掺杂浓度,在保证正向大注入和i区高度电导调制的同时,也增加了反向恢复时的抽取电荷量,延长了反向恢复时间,因此PIN二极管的i区结构,对器件特性也有很重要的影响,这就产生了漂移区控制技术。寿命控制技术是近年来快恢复二极管研究领域的热点问题,通过在器件结构的特定位置引入复合中心来缩短正向注入时的少数载流子寿命,进而缩短反向恢复时间。因此寿命控制技术是当今国际寿命控制技术研究的前沿。
对于这个快恢复二极管来说,它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型,也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面,增加了一个基区I,这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的,所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道,快恢复二极管具有很短的反向恢复时间,它的正向压降还是比较低的,相应的反向击穿电压还是比较高的。
特征
高速开关
低功耗
高可靠性
安装简单,使用维修方便
体积小,重量轻
快恢复二极管DSEP2x31-03A原装现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
描述:DIODE FRED 300V 30A SOT-227B
系列:HiPerFRED™
电压_在If时为正向(Vf):111最大222
1.23V @ 30A
电流_在Vr时反向漏电:250µA @ 300V
电流_平均整流(Io):111每个二极管222 30A
电压_(Vr)111最大222:300V
反向恢复时间(trr):30ns
二极管类型:标准
速度:快速恢复 =< 500 ns,>
200mA(Io)
二极管配置:2 个独立式
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装:SOT-227B
包装:管件
快恢复二极管作用
因为随着装置工作开关频率的提高,若没有快恢复二极管给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器,那么IGBT、功率MOSFET等开关器件就不能发挥其功能和独特作用,这是由FRED关断特性参数(反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流I
)的作用所致。最佳参数的快恢复二极管与高频开关器件协调工作,使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频干扰电压及EMI降至最低,使开关器件的功能得到充分发挥。
注意事项
1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。
2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。
3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。
结构特点
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。