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| 参数 | 数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 器件类型 | N 沟道 IGBT | 绝缘栅双极晶体管 |
| 最大集电极 - 发射极电压 (Vces) | 4500V | 额定工作电压 |
| 最大集电极电流 (Ic) | 2400A | 额定工作电流 |
| 最大栅极 - 发射极电压 (Vge) | ±20V | 栅极驱动电压限制 |
| 最大功耗 (Pc) | 19,000W | 器件散热能力 |
| 封装类型 | 压接式 (Press-Pack) | 双侧面冷却,高可靠性 |
| 芯片技术 | 第三代高压 IGBT 技术 | 低导通损耗,高开关频率 |
| 配套快恢复二极管 | E2400TC45C/E2400EC45E | 4500V/2400A 快恢复二极管 |
| 配套栅极驱动器 | C0044BG400SBT | 低功耗光纤隔离栅极驱动单元 |