生产型 高真空磁控溅射/离子辅助/多弧复合镀膜设备（PVD-1000S系列）该设备广泛应用于铣刀、钻头、轴承、齿轮、镜片等表面的硬质耐磨涂层制备，集成了工件表面处理、离子清洗、颗粒物控制、磁控溅射、离子辅助镀膜及反应溅射镀膜等工艺方法于一体的PVD设备。

可以制备单层膜、多层膜、掺杂膜、金属膜及合金膜、化合物薄膜等。
设备结构及性能参数
设备由PVD镀膜室、集成封闭机柜、分子泵+旋片泵真空机组、真空测量系统、工艺气路系统、磁控溅射靶、直线型离子源、工件架、靶挡板、工件旋转机构、脉冲直流电源、高能量脉冲电源、中频电源、射频电源、偏压电源、离子辅助镀膜电源及控制系统、检测及报警保护系统、水冷管路系统、循环制冷恒温水箱、计算机+PLC 两级控制系统组成。
- 整机外形尺寸：2500mm X 2500mm X 2000mm。也可根据用户产能规模定制尺寸。
- 磁控溅射靶为矩形，靶面尺寸80mm X 300mm，沿真空室壁的圆周排列，可以随时在线调整靶面与样片的距离，靶头伸缩距离150mm。

- 也可根据用户工件尺寸，配置不同的靶材尺寸。
- 直线型离子源沿真空室壁的圆周排列，数量两组，工作气压0.1-0.3Pa，能量200-5000eV可调，束流强度0.2-1A。
- 工件架为圆筒形结构，工件沿圆周排列，每个工位工件既自转又公转。样品装载数量大；旋转运动运行平稳，无抖动；密封可靠。
- 工件可加偏压。
- 加热系统采用红外加热器，对真空环境无污染，加热均匀；具有PID功能的智能温控仪控制加热功率。工件zui*gao可加热至500摄氏度。
设备重点性能参数

关于我们

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。

公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

公司团队技术储备及创新能力

1998~2002

-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN

-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

2005

-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料

2007

-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长

-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）

2015

-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

2017

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计

-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

2019

-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

2021

-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立

2022

-子公司鹏城微纳成立；

-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

-获得ISO9001质量管理体系证书

2023

-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；

-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；

-创新型中小企业；

-获50+项知识产权zhuan*li；

-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；

-子公司晶源半导体成立

2024~2026

-与jun*gong和上市头部企业合作取得突破（X 光感受板及光电器件的薄膜生长等）

-鹏城微纳子公司扩产

-TGV/TSV/TMV

-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层

-gao*xin*ji*shu企业

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