商铺名称：鹏城微纳技术（沈阳）有限公司
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PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
双频技术，采用13.56MHZ射频电源和400KHZ中频电源。
射频电源用于控制等离子体的通量；中频电源用于控制等离子体的能量。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护
5、工艺气路含防交叉污染装置
设备技术指标
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类型 |
参数 |
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样片尺寸 |
≤φ8英寸（或多片2英寸） |
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样片加热台加热温度 |
室温～ 600℃±0.1℃ |
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真空室极限真空 |
≤3×10-5Pa |
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工作背景真空 |
≤4×10-4Pa |
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设备总体漏放率 |
停泵12小时后，真空度≤10Pa |
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样品、电极间距 |
5mm ～ 50mm在线可调 |
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工作控制压强 |
10Pa ～ 1500Pa |
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气体控制回路 |
根据工艺要求配置 |
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单频电源的频率 |
13.56MHz |
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双频电源的频率 |
13.56MHz/400KHz |
工作条件
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类型 |
参数 |
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供电 |
三相五线制 AC 380V |
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工作环境温度 |
10℃～ 40℃ |
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气体阀门供气压力 |
0.5MPa ～ 0.7MPa |
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质量流量控制器输入压力 |
0.05MPa ～ 0.2MPa |
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冷却水循环量 |
0.6m3/h 水温18℃～25℃ |
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设备总功率 |
7kW |
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设备占地面积 |
2.0m ～ 2.0m |
单室与多室PECVD设备
关于我们
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
2005
-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权zhuan*li；
-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2024~2026
-与jun*gong和上市头部企业合作取得突破（X 光感受板及光电器件的薄膜生长等）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-gao*xin*ji*shu企业
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