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商品详情
一、紫外光电二极管SG01M-C5特性：
1、采用碳化硅（SiC）材料
2、仅适用于UVC波段
3、光敏区域面积0.2mm2
4、10mW/cm2峰值辐射强度照射下产生约2400nA电流
5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
6、德国DVGW认证
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC具有特别的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器很好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低 lt;0.1%/k）并且噪音低，能够监测到很低的辐射强度（需配置相应的放大器）。
二、紫外光电二极管SG01M-C5技术参数:
三、紫外光电二极管SG01M-C5应用领域：
主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理，UV天文(阵列探测)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火警安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。
四、紫外光电二极管SG01M-C5尺寸图：
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