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1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此半导体功率器件的研制及应用得到了飞速发展。半导体功率器件根据功能分，可以分为三类：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。快恢复二极管采用外延型PiN结构，其反向恢复时间短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右）。肖特基二极管是用金属（Ti、Ni等）代替了PN结中的P型半导体，为多子器件，具有更低的正向压降和更好的开关特性，反向恢复时间很短（10~40ns），有利于控制开关损耗，但耐压较低一般低于200V，且反向漏电较大对温度。
1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此半导体功率器件的研制及应用得到了飞速发展。半导体功率器件根据功能分，可以分为三类：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。快恢复二极管采用外延型PiN结构，其反向恢复时间短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右）。肖特基二极管是用金属（Ti、Ni等）代替了PN结中的P型半导体，为多子器件，具有更低的正向压降和更好的开关特性，反向恢复时间很短（10~40ns），有利于控制开关损耗，但耐压较低一般低于200V，且反向漏电较大1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。从此半导体功率器件的研制及应用得到了飞速发展。半导体功率器件根据功能分，可以分为三类：不可控、半控型、全控型。不可控功率器件:功率整流二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。快恢复二极管采用外延型PiN结构，其反向恢复时间短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右）。肖特基二极管是用金属（Ti、Ni等）代替了PN结中的P型半导体，为多子器件，具有更低的正向压降和更好的开关特性，反向恢复时间很短（10~40ns），有利于控制开关损耗，但耐压较低一般低于200V，且反向漏电较大
西门康semikron可控硅SKT760/16E SKT1200/16E SKT1200/20E
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