若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBTABB模块FS225R12KE3/AGDR-81CS，ABB IGBT德国英飞凌、瑞士ABB

如何查看ABB变频器ISU模块内IGBT哪项有故障？
除非IGBT有明显的变化，比方说烧黑了之类的，否则，单凭肉眼，是无法看出IGBT是否OK的话。要想做出准确的判断的话，需要将IGBT拆下来，并用万用表进行测量。