IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBTABB模块FS300R17KE3/AGDR-71C

IGBT模块几个管脚?
IGBT的封装很多，有14封装，6封装，2封装，单管。它们的管脚数是不一样的。其中常用的是2封装，即上下桥。这种器件有7管脚，分别是1、上桥E下桥C。2、下桥E。3、上桥C。4、上桥G。5、上桥GE保护的E。6、下桥GE保护的E。7、下桥G。
变频器为什么用12个IGBT模块?
小功率用的是集成模块，一个就可以了，但是一般也就只是做到15KW，18.5KW到90KW一般用三个IGBT,110KW用6个IGBT ,因为变频器用IGBT zui大一般做到400A左右，90KW的要360A，所以3个可以满足，110KW要440A，的话要两组250A的模块，达到500A，像200KW变频器，需要的IGBT达到800A，也就是两组400A，放大的话，可以是3组300A，或者4组250A，也就是12个IGBT,这样放大，可以承受很大的瞬间电流。变频器核心的就是IGBT,成本zui高的也是IGBT,体现一个品牌的也是在IGBT的运用能力上。