PW8205A6S SOT23-6封装 20V 6A N沟道MOSFET场效应管 低栅极电荷
产品价格：￥0.13（人民币）
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商品详情
概述
PW8205A6S采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷
以及在低至2.5V的栅极电压下工作。该设备适用于用作电池保护
或在其他交换应用中。
功能
VDS=20V，ID=6A
RDS（ON）<21 mQ@VGS=4.5V
RDS（ON）<27 mQ@VGS=2.5V
提供6引脚SOT23-6封装
PW8205A6S采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷
以及在低至2.5V的栅极电压下工作。该设备适用于用作电池保护
或在其他交换应用中。
功能
VDS=20V，ID=6A
RDS（ON）<21 mQ@VGS=4.5V
RDS（ON）<27 mQ@VGS=2.5V
提供6引脚SOT23-6封装
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