瓦片式有源相控阵子阵
瓦片式有源相控阵子阵
产品价格:¥1.00(人民币)
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    商品详情

         产品概述:

            一种基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵。包括:天线子阵、收发电路板和金属壳体散热器。天线子阵包含4×4宽带辐射单元。收发电路板包含四片硅基TR芯片、功分合成网络以及分布式数字控制电路,每片硅基TR芯片有四路收发通道,能够完成接收信号放大和相位幅度调整,并且能够将发射信号移相放大输出。采用瓦片式结构,天线与收发电路层叠设计,通过垂直互联结构连接形成整体,系统可靠性高。且硅基芯片批量成本低,有效降低了整机成本。使用高集成度硅基TR芯片,有效解决了瓦片式两维相控阵天线横向空间受限的问题,通过瓦片层叠结构将天线射频一体化集成,形成可自由拼接的标准化有源子阵。

      产品特点:


       采用标准化子阵模块,硬件可重构,软件可定义,研制了一种具有低成本、高集成度、模块化、散热能力强、可靠性高且具有快速维修能力的两维相控阵雷达射频前端。包括:天线罩、采用硅基TR芯片的有源相控阵子阵(16通道)、散热壳体、功分网络、波控电源板、和差网络、频综接收机和散热风机。


          产品原理:

       采用瓦片式结构,基于多子阵模块化扩展设计实现整阵。使用硅基TR芯片有效解决了瓦片式相控阵天线横向空间受限的问题,有源相控阵子阵及壳体的散热设计为解决散热难题提出了一个有效的方案。

      子阵模块技术指标:

      名称 

      技术指标 

      工作频段 

      X波段

      极化方式 

      线极化 /圆极化

      波束扫描范围 

      方位面:±45°,俯仰面:±45° 

      增益

      法向

      >16dB

      范围内下降

      <3.5dB

      zuida占空比 

      ≤30% 

      半功率波束带宽 

      方位面:23°±2.3° 俯仰角:23°±2.3° 

      移相执行时间 

      ≤100ns 

      移相器位数

      6位

      衰减器位数

      6位

      单通道功率 

      ≥0.5W 

      单通道噪声系数 

      ≤3dB 


      整阵技术指标:


      名称 

      技术指标 

      工作频段 

      X频段

      极化方式 

      垂直线极化

      中频

      210MHz

      瞬时带宽

      30MHz

      波束扫描范围 

      方位面:±45°,俯仰面:±45° 

      阵列规模(TR通道数目)

      24×24

      zuida占空比 

      30% 

      半功率波束带宽 

      接收

      方位:4.6°±0.5°,俯仰:4.6°±0.4° 

      发射

      方位:3.8°±0.4°,俯仰:3.8°±0.4°

      接收副瓣电平

      ≤-20dB 

      接收差波束零深

      方位:≤-25dB

      俯仰:≤-25dB

      G/T

      ≥2dB/K

      EIRP 

      ≥83dBm 

      功耗 

      ≤600W 

        应用场景:

      目前子阵工作频率X波段,天线极化为垂直线极ji化。在主体方案不变的情况下,可以根据总体需要,在8~12GHz频带范围内调整,天线极化也可以按照水平线极化或者圆极化设计。


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